3d chiplet 文章 進入3d chiplet技術社區(qū)
臺積電OIP推3D IC設計新標準
- 臺積電OIP（開放創(chuàng)新平臺）于美西當?shù)貢r間25日展開，除表揚包括力旺、M31在內之業(yè)者外，更計劃推出3Dblox新標準，進一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。 臺積電設計構建管理處負責人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術實現(xiàn)優(yōu)化的設計。臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設計合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動AI芯片設計的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
- 關鍵字： 臺積電 OIP 3D IC設計
在 Chiplet 時代如何規(guī)劃芯片布局
- 自動緩解熱問題成為異構設計中的首要任務。
- 關鍵字： Chiplet
是德科技推出System Designer和Chiplet PHY Designer，優(yōu)化基于數(shù)字標準的仿真工作流程
- ●? ?借助由仿真驅動的虛擬合規(guī)性測試解決方案，采用更智能、更精簡的工作流程，提高?PCIe?設計的工作效率●? ?具有設計探索和報告生成能力，可加快小芯片的信號完整性分析以及?UCIe?合規(guī)性驗證，從而幫助設計師提高工作效率，縮短新產(chǎn)品上市時間System Designer for PCIe?是一種智能的設計環(huán)境，用于對最新PCIe Gen5?和?Gen6?系統(tǒng)進行建模和仿真是德科技（
- 關鍵字： 是德科技 System Designer Chiplet PHY Designer 仿真
美國宣布撥款16億美元，激勵先進封裝研發(fā)
- 當?shù)貢r間周二，美國商務部發(fā)表官方聲明，宣布將撥款高達16億美元用于加速國內半導體先進封裝的研發(fā)。此舉是美國政府2023年公布的國家先進封裝制造計劃NAPMP的一部分。聲明中稱，該筆資金來源于2022年《芯片與科學法案》520億美元授權資金的一部分，重點支持企業(yè)在芯片封裝新技術領域進行創(chuàng)新。美國政府計劃通過獎勵金的形式向先進封裝領域的創(chuàng)新項目提供每份不超過1.5億美元的激勵。且項目需與以下五個研發(fā)領域中的一個或多個相關：1、設備、工具、工藝、流程集成；2、電力輸送和熱管理；3、連接器技術，包括光子學和射頻；
- 關鍵字： 先進封裝 chiplet EDA
曾號稱碾壓英偉達！壁仞科技：單個國產(chǎn)AI芯片不強但數(shù)量多、軟件加持就不一樣了
- 7月10日消息，近日，壁仞科技副總裁兼AI軟件首席架構師丁云帆在談及計算瓶頸時表示，解決算力瓶頸問題需要從三個維度考慮：硬件集群算力、軟件有效算力、異構聚合算力。他認為，做好這三個維度的工作，即使國產(chǎn)AI芯片單個算力不強，也能通過綜合手段提升算力，滿足國內大模型訓練的需求?！拔覀?020年設計的第一代產(chǎn)品里就做了chiplet架構，國外巨頭在今年發(fā)布的產(chǎn)品如英偉達B100和英特爾Gaudi 3也采用了同樣的思路，他們用最先進的制程，但也需要chiplet來突破摩爾定律限制來提升單卡算力?！倍≡品f道。據(jù)他
- 關鍵字： 壁仞科技 AI芯片 chiplet
鎧俠公布藍圖：2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊
- 近日，據(jù)媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，公司計劃于2030至2031
- 關鍵字： 鎧俠 3D NAND堆疊
SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%
- 6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關于3D DRAM技術的最新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發(fā)上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
- 關鍵字： SK海力士 3D DRAM
西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場
- ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設計與驗證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進的設計工具，能夠在整個設計流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
- 關鍵字： 西門子 Calibre 3DThermal 3D IC
5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
- 關鍵字： 5G 聯(lián)電 RFSOI 3D IC
聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預計今年量產(chǎn)
- 近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
- 關鍵字： 聯(lián)電 3D IC
如何減少光學器件的數(shù)據(jù)延遲
- 光子學和電子學這兩個曾經(jīng)分離的領域似乎正在趨于融合。
- 關鍵字： 3D-IC
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